RGT30NS65DGC9

Номер детали:
RGT30NS65DGC9
Производитель:
ROHM Semiconductor
Other Part Numbers:
-
Описание:
IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-262
Datasheet:
-

Product Attributes

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Active
Время обратного восстановления (trr) 55 ns
输入类型 Standard
Энергия переключения -
Корпус TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Поставщик Устройство Корпус TO-262
Ток коллектора (Ic) (макс.) 30 A
Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Заряд затвора 32 nC
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
Ток коллектора импульсный (Icm) 45 A
IGBT Тип Trench Field Stop
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A
Условия испытания 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Td (включено/выключено) @ 25°C 18ns/64ns
Мощность - Максимальная 133 W