MG12150D-BA1MM
Product Attributes
| Статус детали | Obsolete |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Корпус | Module |
| IGBT Тип | - |
| Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) | 1200 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Конфигурация | Half Bridge |
| Ток отсечки коллектора (макс.) | 1 mA |
| 输入 | Standard |
| NTC Термистор | No |
| Входная емкость (Cies) при Vce | 11 nF @ 25 V |
| Поставщик Устройство Корпус | D3 |
| Мощность - Максимальная | 1100 W |
| Ток коллектора (Ic) (макс.) | 210 A |
| Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 150A (Typ) |