GT50JR21(STA1,E,S)

Номер детали:
GT50JR21(STA1,E,S)
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Other Part Numbers:
-
Описание:
IGBT 600V 50A TO-3P
Datasheet:
PDF

Product Attributes

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Active
IGBT Тип -
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 600 V
输入类型 Standard
Ток коллектора (Ic) (макс.) 50 A
Условия испытания -
Корпус TO-3P-3, SC-65-3
Энергия переключения -
Td (включено/выключено) @ 25°C -
Ток коллектора импульсный (Icm) 100 A
Рабочая температура 175°C (TJ)
Мощность - Максимальная 230 W
Поставщик Устройство Корпус TO-3P(N)
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A