GT30J341,Q

Номер детали:
GT30J341,Q
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Other Part Numbers:
-
Описание:
IGBT 600V 59A TO-3P
Datasheet:
PDF

Product Attributes

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Last Time Buy
Время обратного восстановления (trr) 50 ns
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 600 V
输入类型 Standard
Корпус TO-3P-3, SC-65-3
Ток коллектора импульсный (Icm) 120 A
Рабочая температура 175°C (TJ)
Мощность - Максимальная 230 W
Поставщик Устройство Корпус TO-3P(N)
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
Условия испытания 300V, 30A, 24Ohm, 15V
Ток коллектора (Ic) (макс.) 59 A
Энергия переключения 800µJ (on), 600µJ (off)
Td (включено/выключено) @ 25°C 80ns/280ns