APTGT100A120D1G

Номер детали:
APTGT100A120D1G
Производитель:
Microsemi Corporation
Other Part Numbers:
-
Описание:
IGBT MODULE 1200V 150A 520W D1
Datasheet:
PDF

Product Attributes

Статус детали Obsolete
Тип монтажа Chassis Mount
Рабочая температура -
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
Конфигурация Half Bridge
输入 Standard
NTC Термистор No
Мощность - Максимальная 520 W
Ток отсечки коллектора (макс.) 3 mA
Ток коллектора (Ic) (макс.) 150 A
IGBT Тип Trench Field Stop
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
Корпус D1
Поставщик Устройство Корпус D1
Входная емкость (Cies) при Vce 7 nF @ 25 V